NAND256W3A2BN6F

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功能描述
閃存 NAND 256 MEG
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
數(shù)據(jù)總線寬度
1 bit
存儲類型
Flash
存儲容量
2 MB
結構
256 K x 8
定時類型
接口類型
SPI
訪問時間
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.3 V
最大工作電流
15 mA
工作溫度
- 40 C to + 85 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
封裝
Reel

NAND256W3A2BN6F 技術參數(shù)

NAND256W3A2BN6E 功能描述:閃存 NAND 256 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND256W3A2BE06 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND256W3A0BZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 55VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 NAND256W3A0BN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays NAND256W3A0BE06 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND512R3A2CZA6E NAND512R3A2DZA6E NAND512R3A2SE06 NAND512R3A2SN6E NAND512R3A2SN6F NAND512R3A2SZA6E NAND512R3A2SZA6F NAND512R3A2SZAXE NAND512R3A3AZA6E NAND512W3A0AN6 NAND512W3A0AN6E NAND512W3A0AV6E NAND512W3A2BN6E NAND512W3A2BN6F NAND512W3A2BZA6E NAND512W3A2CN6E NAND512W3A2CZA6E NAND512W3A2DN6E