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NE57811S

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
Advanced DDR memory termination power with shutdown

NE57811S 技術(shù)參數(shù)

NE57810S/N1,518 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 PWR DBL DATA RATE RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray NE57810S/G,518 功能描述:線性穩(wěn)壓器 - 標準 DDR Memory Term Regulator 6-Pin RoHS:否制造商:STMicroelectronics 輸出類型: 極性: 輸出電壓:1.8 V 輸出電流:150 mA 負載調(diào)節(jié): 最大輸入電壓:5.5 V 線路調(diào)整率: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-5L NE57810S,518 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 DOUBLE DATA RATE TERMINATOR RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray NE570DR2G 功能描述:通信集成電路 - 若干 Dual Gain Compandor Commercial Temp RoHS:否制造商:Maxim Integrated 類型:Transport Devices 封裝 / 箱體:TECSBGA-256 數(shù)據(jù)速率:100 Mbps 電源電壓-最大:1.89 V, 3.465 V 電源電壓-最小:1.71 V, 3.135 V 電源電流:50 mA, 225 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE570DR2 功能描述:通信集成電路 - 若干 Dual Gain Compandor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 類型:Transport Devices 封裝 / 箱體:TECSBGA-256 數(shù)據(jù)速率:100 Mbps 電源電壓-最大:1.89 V, 3.465 V 電源電壓-最小:1.71 V, 3.135 V 電源電流:50 mA, 225 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE592D14 NE592D14G NE592D14R2 NE592D14R2G NE592D8 NE592D8G NE592D8R2 NE592D8R2G NE592N14 NE592N14G NE592N8 NE592N8G NE6 NE650103M-A NE6510179A-A NE6510179A-EVPW19 NE6510179A-EVPW24 NE6510179A-EVPW26