NX3008NBKT

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 30V 350MA SOT416
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT416
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT416, Transistor Polarity

NX3008NBKT 技術(shù)參數(shù)

NX3008NBKSH 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008NBKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:350mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008NBKMB,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:530mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 350mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008NBK,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），1.14W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 350mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008CBKV,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA，220mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX301100 NX301101 NX301102 NX301103 NX301104 NX301105 NX301106 NX301107 NX301108 NX301109 NX301110 NX301111 NX301112 NX301113 NX301114 NX301115 NX301116 NX301117