NX3008PBKW

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET P CH 30V 200MA SOT323
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, P CH, 30V, 200MA, SOT323
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, P CH, 30V, 200MA, SOT323; Transistor Polarity

NX3008PBKW 技術(shù)參數(shù)

NX3008PBKV,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:220mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 歐姆 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:46pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008PBKT,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 歐姆 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:46pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008PBKS,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 歐姆 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.75nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:46pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008PBKMB,315 功能描述:MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.72nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:46pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 歐姆 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008PBK,215 功能描述:MOSFET P-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.72nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:46pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），1.14W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 歐姆 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX301108 NX301109 NX301110 NX301111 NX301112 NX301113 NX301114 NX301115 NX301116 NX301117 NX301118 NX3020NAK,215 NX3020NAKS,115 NX3020NAKT,115 NX3020NAKV,115 NX3020NAKVYL NX3020NAKW,115 NX302100