PDTA143TE

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open

PDTA143TE 技術(shù)參數(shù)

PDTA143EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:4.7 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA143ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:4.7 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號(hào):PDTA143 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA143EM,315 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:4.7 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號(hào):PDTA143 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA143EEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SC-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA124XT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:22 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA143XK,115 PDTA143XM,315 PDTA143XMB,315 PDTA143XQAZ PDTA143XS,126 PDTA143XT,215 PDTA143XTVL PDTA143XU,115 PDTA143ZE,115 PDTA143ZEF,115 PDTA143ZK,115 PDTA143ZK,135 PDTA143ZM,315 PDTA143ZMB,315 PDTA143ZQAZ PDTA143ZS,126 PDTA143ZT,215 PDTA143ZT,235