PDTC114EM

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Digital NPN Transistor,10k,10k,SOT-883

PDTC114EM 技術(shù)參數(shù)

PDTC114EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTB123YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTB123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:2.2 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTB113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:1 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC114TE,115 PDTC114TEF,115 PDTC114TK,115 PDTC114TM,315 PDTC114TMB,315 PDTC114TS,126 PDTC114TT,215 PDTC114TT,235 PDTC114TU,115 PDTC114YE,115 PDTC114YE,135 PDTC114YEF,115 PDTC114YK,115 PDTC114YM,315 PDTC114YMB,315 PDTC114YQAZ PDTC114YS,126 PDTC114YT,215