PMN38EN

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFETN CH30V5.4ASOT457
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,30V,5.4A,SOT457

PMN38EN 技術參數

PMN35EN,125 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:31 毫歐 @ 5.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:334pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN34UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 2.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN34UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:790pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN34LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN30XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1575pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:550mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 5.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN45EN,135 PMN45EN,165 PMN48XP,115 PMN48XP,125 PMN48XPAX PMN49EN,135 PMN49EN,165 PMN50UPE,115 PMN50XP,165 PMN52XPX PMN55LN,135 PMN6-3R-2K PMN6-5R-2K PMN70EPEX PMN70XPE,115 PMN70XPEAX PMN70XPX PMN80XP,115