PSMN2R6-30YLC

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 30V 100A LFPAK
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 30V, 100A, LFPAK

PSMN2R6-30YLC 技術(shù)參數(shù)

PSMN2R5-60PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:223nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN2R5-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3468pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN2R4-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:31.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2256pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN2R4-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3264pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:91W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN2R2-40PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8423pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30YL,115 PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60ES,127 PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R2-25YLC,115 PSMN3R2-30YLC,115 PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-60PLQ PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80ES,127 PSMN3R3-80PS,127 PSMN3R4-30BL,118 PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30PL,127