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SI1906DL

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  • 制造商
  • VISHAY
  • 制造商全稱
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1906DL 技術(shù)參數(shù)
  • SI1869DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1869DH-T1-E3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1867DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源分配開(kāi)關(guān) 系列:- 特色產(chǎn)品:XRP252 Switches 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:高端開(kāi)關(guān) 輸出數(shù):2 Rds（開(kāi)）:140 毫歐 內(nèi)部開(kāi)關(guān):是 電流限制:1.15A 輸入電壓:1.75 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-WFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:10-TDFN（3x3） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:1016-1691-6 SI1867DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1865DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源分配開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:80 系列:- 類型:USB 開(kāi)關(guān) 輸出數(shù):2 Rds（開(kāi)）:135 毫歐 內(nèi)部開(kāi)關(guān):是 電流限制:1.5A 輸入電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP-PowerPad 包裝:管件 配用:TPS2066-1EVM-296-ND - TPS2066-1EVM-296 SI1965DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-GE3 SI1970DH-T1-E3 SI1970DH-T1-GE3 SI1972DH-T1-E3 SI1972DH-T1-GE3 SI1988DH-T1-E3 SI1988DH-T1-GE3 SI-20140 SI2111-A10-GM SI2111-A10-GMR SI2113-A10-GM SI2113-A10-GMR SI2115-A10-GM SI2115-A10-GMR SI2124-A20-GM SI2124-A20-GMR
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