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STB13007

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STB13007 技術(shù)參數(shù)
  • STB13005-1 功能描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 1A,4A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STB12NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):410 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):960pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB12NM50T4 功能描述:MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):550V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):350 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1000pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB12NM50ND 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 50V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB12NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):940pF @ 50V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB140N4F6 STB140NF55T4 STB140NF75T4 STB141NF55 STB141NF55-1 STB14N80K5 STB14NK50Z-1 STB14NK50ZT4 STB14NK60ZT4 STB14NM50N STB14NM65N STB150N3LH6 STB150NF04 STB150NF55T4 STB15100CTR STB15100TR STB15150TR STB15200TR
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