STD30NF03LT4

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2/3頁 40條/頁共102條
上一頁 1 2 3 下一頁

您是不是要找： STD30NF04LT STD30NF06 STD30NF06LT4 STD30NF06T4 STD30PF03L-1 STD30PF03LT4 STD3155L104T4G STD32 STD35N3LH5

STD30NF03LT4 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STD30NF03LT4 PDF下載

功能描述
MOSFET N-Ch 30 Volt 30 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STD30NF03LT4 技術(shù)參數(shù)

STD30N6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1320pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD30N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1270pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 歐姆 @ 1.05A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2NK90Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 歐姆 @ 1.05A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STD2NK70ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 800mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD35NF06LT4 STD35NF06T4 STD35NF3LLT4 STD35P6LLF6 STD36NH02L STD36P4LLF6 STD37P3H6AG STD38NH02L-1 STD38NH02LT4 STD3LN62K3 STD3LN80K5 STD3N40K3 STD3N62K3 STD3N80K5 STD3NK100Z STD3NK50Z-1 STD3NK50ZT4 STD3NK60Z-1