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STGE200NB60S

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 150Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
STGE200NB60S 技術(shù)參數(shù)
  • STGDL6NC60DT4 功能描述:IGBT 600V 13A 50W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):13A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):25A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.9V @ 15V,3A 功率 - 最大值:50W 開關(guān)能量:46.5μJ(開),23.5μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:12nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:6.7ns/46ns 測試條件:390V,3A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):30ns 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 STGDL6NC60DIT4 功能描述:IGBT 600V 13A 50W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):13A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):18A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.9V @ 15V,3A 功率 - 最大值:50W 開關(guān)能量:32μJ(開),24μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:12nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:6.7ns/46ns 測試條件:390V,3A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):23ns 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD8NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 15A 62W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.75V @ 15V,3A 功率 - 最大值:62W 開關(guān)能量:55μJ(開),85μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:19nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:17ns/72ns 測試條件:390V,3A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD8NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 62W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.75V @ 15V,3A 功率 - 最大值:62W 開關(guān)能量:55μJ(開),85μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:19nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:17ns/72ns 測試條件:390V,3A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):23.5ns 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD7NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 25A 70W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,7A 功率 - 最大值:70W 開關(guān)能量:95μJ(開),115μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:35nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:18.5ns/72ns 測試條件:390V,7A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGF12NB60KD STGF14N60D STGF14NC60KD STGF15H60DF STGF15M65DF2 STGF17NC60SD STGF19NC60HD STGF19NC60KD STGF19NC60WD STGF20H60DF STGF20M65DF2 STGF20NB60S STGF20V60DF STGF30H60DF STGF30M65DF2 STGF30NC60S STGF30V60DF STGF35HF60W
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