STL90N3LLH6

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功能描述
MOSFET N-Ch 30V 0.0028 24A STripFET VI
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STL90N3LLH6 技術(shù)參數(shù)

STL90N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3550pF @ 50V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20.5 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:965pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STLC3055Q STLC3055QTR STLC3080 STLC3080TR STLC30R80 STLC5046 STLC5048 STLC5048TR STLC60845 STLC7550TQF7 STLC7550TQF7TR STLD125N4F6AG STLD128DNT4 STLD200N4F6AG STLD20CP1PQR STLD20D-C8 STLD20D-DEF STLD40DPMR