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JAN1N3018CUR-1

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • JAN1N3018CUR-1
    JAN1N3018CUR-1

    JAN1N3018CUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AB

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • JAN1N3018CUR-1
    JAN1N3018CUR-1

    JAN1N3018CUR-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 8.2V 1W

  • 22+

  • -

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
JAN1N3018CUR-1 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N3018C-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3018BUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3018B-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3017DUR-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3017D-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3020BUR-1 JAN1N3020C-1 JAN1N3020CUR-1 JAN1N3020D-1 JAN1N3020DUR-1 JAN1N3021B-1 JAN1N3021BUR-1 JAN1N3021C-1 JAN1N3021CUR-1 JAN1N3021D-1 JAN1N3021DUR-1 JAN1N3022B-1 JAN1N3022BUR-1 JAN1N3022C-1 JAN1N3022CUR-1 JAN1N3022D-1 JAN1N3022DUR-1 JAN1N3023B-1
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