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JAN1N3045CUR-1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • JAN1N3045CUR-1
    JAN1N3045CUR-1

    JAN1N3045CUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AB

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N3045CUR-1
    JAN1N3045CUR-1

    JAN1N3045CUR-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 110V 1W

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
JAN1N3045CUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • Zener Diode 110V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41)
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用,MIL-PRF-19500/115
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz)
  • 110V
  • 容差
  • ±2%
  • 功率 - 最大值
  • 1W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 450 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 10μA @ 83.6V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.2V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • DO-213AB,MELF
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-213AB(MELF,LL41)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
JAN1N3045CUR-1 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N3045C-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):450 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3045BUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):110V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):450 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB(MELF,LL41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3045B-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):110V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):450 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3044DUR-1 功能描述:Zener Diode 100V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):100V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB(MELF,LL41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3044D-1 功能描述:Zener Diode 100V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):100V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3326B JAN1N3330B JAN1N3338B JAN1N3339B JAN1N3595-1 JAN1N3595A-1 JAN1N3595AUR-1 JAN1N3595AUS JAN1N3595UR-1 JAN1N3600 JAN1N3611 JAN1N3612 JAN1N3613 JAN1N3614 JAN1N3644 JAN1N3645 JAN1N3646 JAN1N3647
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