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JAN1N4101DUR-1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • JAN1N4101DUR-1
    JAN1N4101DUR-1

    JAN1N4101DUR-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 8.2V DO2

  • 22+

  • -

  • JAN1N4101DUR-1
    JAN1N4101DUR-1

    JAN1N4101DUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
JAN1N4101DUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • Zener Diode 8.2V ±1% Surface Mount DO-213AA
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用，MIL-PRF-19500/435
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
  • 8.2V
  • 容差
  • ±1%
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 阻抗（最大值）（Zzt）
  • 200 歐姆
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 500nA @ 6.3V
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • DO-213AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-213AA
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
JAN1N4101DUR-1 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N4101D-1 功能描述:Zener Diode 8.2V ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4101CUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4101C-1 功能描述:Zener Diode 8.2V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4101-1 功能描述:Zener Diode 8.2V ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4100UR-1 功能描述:Zener Diode 7.5V ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4103CUR-1 JAN1N4103D-1 JAN1N4103DUR-1 JAN1N4103UR-1 JAN1N4104-1 JAN1N4104C-1 JAN1N4104CUR-1 JAN1N4104D-1 JAN1N4104DUR-1 JAN1N4104UR-1 JAN1N4105-1 JAN1N4105C-1 JAN1N4105CUR-1 JAN1N4105D-1 JAN1N4105DUR-1 JAN1N4105UR-1 JAN1N4106-1 JAN1N4106C-1
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