JAN1N4458R

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

JAN1N4458R
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
DO-203AA
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

JAN1N4458R
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
20000
MICROSEMI
DO-4
15+
-
原裝正品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STD RECOVERY RECTFR 800V 5A 2PIN DO-4 - Bulk

JAN1N4458R 技術(shù)參數(shù)

JAN1N4458 功能描述:Diode Standard 800V 15A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/162 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-203AA（DO-4）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4454UR-1 功能描述:Diode Standard 50V 4A Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/144 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4454-1 功能描述:Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/144 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4372DUR-1 功能描述:Zener Diode 3V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4372D-1 功能描述:Zener Diode 3V ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4461C JAN1N4461CUS JAN1N4461D JAN1N4461DUS JAN1N4461US JAN1N4462 JAN1N4462C JAN1N4462CUS JAN1N4462D JAN1N4462DUS JAN1N4462US JAN1N4463 JAN1N4463C JAN1N4463CUS JAN1N4463D JAN1N4463DUS JAN1N4463US JAN1N4464