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JAN1N6327C

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • JAN1N6327C
    JAN1N6327C

    JAN1N6327C

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
JAN1N6327C PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • Zener Diode 13V 500mW ±2% Through Hole DO-35
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用,MIL-PRF-19500/533
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 13V
  • 容差
  • ±2%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 8 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 50nA @ 9.9V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.4V @ 1A
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 1
JAN1N6327C 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N6327 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6326US 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JAN1N6326 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6325US 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JAN1N6325 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6331US JAN1N6332 JAN1N6332US JAN1N6333 JAN1N6333US JAN1N6334 JAN1N6334US JAN1N6335 JAN1N6335US JAN1N6336 JAN1N6336US JAN1N6337 JAN1N6337US JAN1N6338 JAN1N6338US JAN1N6339 JAN1N6339US JAN1N6340
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