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MLZ2012DR10MT000

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  • MLZ2012DR10MT000
    MLZ2012DR10MT000

    MLZ2012DR10MT000

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號(hào)

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  • MLZ2012DR10MT000
    MLZ2012DR10MT000

    MLZ2012DR10MT000

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話(huà)：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)45層4503B★公司為一般納稅人，可開(kāi)正規(guī)13%專(zhuān)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 499400

  • 原廠(chǎng)

  • SMD

  • 15+ROHS

  • -

  • 一級(jí)質(zhì)量保證長(zhǎng)期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價(jià)美

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MLZ2012DR10MT000 技術(shù)參數(shù)
  • MLZ2012DR10DT000 功能描述:100nH Shielded Multilayer Inductor 1.15A 91 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±20% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:91 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:500MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:25MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A3R3WTD25 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:442 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:10MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A3R3WT000 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:442 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:90MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:10MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A2R2WTD25 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:10MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A2R2WT000 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:120MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:10MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012M100WTD25 MLZ2012M150WT000 MLZ2012M150WTD25 MLZ2012M1R0HT000 MLZ2012M1R0HTD25 MLZ2012M1R5HT MLZ2012M1R5HT000 MLZ2012M1R5HTD25 MLZ2012M220WT000 MLZ2012M220WTD25 MLZ2012M2R2HT000 MLZ2012M2R2HTD25 MLZ2012M330WT000 MLZ2012M330WTD25 MLZ2012M3R3HT MLZ2012M3R3HT000 MLZ2012M3R3HTD25 MLZ2012M470WT000
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