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M29W320DB70N6

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
M29W320DB70N6 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 閃存 4Mx8 or 2Mx16 70ns
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 數(shù)據總線寬度
  • 1 bit
  • 存儲類型
  • Flash
  • 存儲容量
  • 2 MB
  • 結構
  • 256 K x 8
  • 定時類型
  • 接口類型
  • SPI
  • 訪問時間
  • 電源電壓-最大
  • 3.6 V
  • 電源電壓-最小
  • 2.3 V
  • 最大工作電流
  • 15 mA
  • 工作溫度
  • - 40 C to + 85 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 封裝
  • Reel
M29W320DB70N6 技術參數(shù)
  • M29W320DB70N3F 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 3V 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 M29W320DB70N3E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP M29W256GSL70ZS6F 功能描述:SECURE 256MB 3V 70NS LBP 64LBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) M29W256GSL70ZS6E 功能描述:IC FLASH SEC 128MB 3V LBP 64LBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) M29W256GSH70ZS6F 功能描述:IC FLASH SEC 256MB 3V HBP 64LBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) M29W320DB7AN6F TR M29W320DB7AZA6E M29W320DB7AZA6F TR M29W320DB80ZA3E M29W320DB80ZA3F TR M29W320DB90N6 M29W320DT70N3E M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F TR M29W320DT70N6E M29W320DT70N6F M29W320DT70N6F TR M29W320DT70ZE6E M29W320DT70ZE6F M29W320DT70ZE6F TR M29W320DT90N6 M29W320EB70N6 M29W320EB70N6E
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