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MRF8372R1

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MRF8372R1 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
MRF8372R1 技術參數
  • MRF587 功能描述:TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):17V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3dB @ 0.5GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:244A-01 供應商器件封裝:244A-01、STYLE 1 標準包裝:20 MRF455 功能描述:TRANS RF NPN 18V 15A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):18V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:13dB 功率 - 最大值:60W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:211-07 供應商器件封裝:211-07、STYLE 1 標準包裝:10 MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 5A,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:211-11,2 型 供應商器件封裝:211-11,2 型 標準包裝:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):16A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:211-11,2 型 供應商器件封裝:211-11,2 型 標準包裝:30 MRF429 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):16A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:211-11,2 型 供應商器件封裝:211-11,2 型 標準包裝:30 MRF8HP21130HR5 MRF8HP21130HSR3 MRF8HP21130HSR5 MRF8P18265HR6 MRF8P18265HSR5 MRF8P18265HSR6 MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3 MRF8P20100HSR5 MRF8P20140WGHSR3 MRF8P20140WHR3 MRF8P20140WHR5 MRF8P20140WHSR3 MRF8P20140WHSR5 MRF8P20160HR3 MRF8P20160HR5 MRF8P20160HSR3 MRF8P20160HSR5
配單專家

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