MTB30P06VT4G

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功能描述
MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

MTB30P06VT4G 技術參數

MTAPD-07-016 功能描述:Photodiode 905nm 600ps 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效波長:905nm 顏色 - 增強:- 頻譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:雪崩不同 nm 時的響應度:55 A/W @ 905nm 響應時間:600ps 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 暗（典型值）:400pA 有效面積:0.2mm2 視角:- 工作溫度:-20°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 標準包裝:1 MTAPD-07-015 功能描述:Photodiode 905nm 600ps 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效波長:905nm 顏色 - 增強:- 頻譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:雪崩不同 nm 時的響應度:55 A/W @ 905nm 響應時間:600ps 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 暗（典型值）:400pA 有效面積:0.2mm2 視角:- 工作溫度:-20°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 標準包裝:1 MTAPD-07-014 功能描述:Photodiode 905nm 600ps 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效波長:905nm 顏色 - 增強:- 頻譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:雪崩不同 nm 時的響應度:55 A/W @ 905nm 響應時間:600ps 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 暗（典型值）:400pA 有效面積:0.2mm2 視角:- 工作溫度:-20°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 標準包裝:1 MTAPD-07-013 功能描述:Photodiode 905nm 600ps 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效波長:905nm 顏色 - 增強:- 頻譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:雪崩不同 nm 時的響應度:55 A/W @ 905nm 響應時間:600ps 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 暗（典型值）:400pA 有效面積:0.2mm2 視角:- 工作溫度:-20°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 標準包裝:1 MTAPD-07-012 功能描述:Photodiode 905nm 600ps 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效波長:905nm 顏色 - 增強:- 頻譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:雪崩不同 nm 時的響應度:55 A/W @ 905nm 響應時間:600ps 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 暗（典型值）:200pA 有效面積:0.2mm2 視角:- 工作溫度:-20°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 標準包裝:1 MTBL2410-G-A MTC0528S05 MTC0528S12 MTC0528S15 MTC0528S28 MTC0528S3V3 MTC100-BF1-P23 MTC100-BF1-P31CS015 MTC100-BF1-P32 MTC100-BF1-P33 MTC100-BF1-S32 MTC100-BF2-P21 MTC100-BF2-P31 MTC100-BF2-P31CS015 MTC100-BF2-P32 MTC100-BF2-P33 MTC100-BF2-S32 MTC100-BJ1-P22