NP35N04YUG-E1-AY

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說明
操作

NP35N04YUG-E1-AY
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
11075
RENESAS E
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

NP35N04YUG-E1-AY 技術(shù)參數(shù)

NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:30 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP40N055MLE-S18-AY NP40N055NLE-S18-AY NP40N10PDF-E1-AY NP40N10YDF-E1-AY NP4-12 NP48N055KLE-E1-AY NP48N055MLE-S18-AY NP48N055NLE-S18-AY N-P50 NP50P03YDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY NP52N055SUG-E1-AY NP52N06SLG-E1-AY NP55N03SUG-E1-AY NP55N04SUG-E1-AY