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PH2544H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • PH2544H
    PH2544H

    PH2544H

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SofTec Microsystems SRL

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 百分百原裝 假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
PH2544H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • PROG HEAD FOR MP8011A 32-DIP
  • RoHS
  • 類別
  • 編程器,開發(fā)系統(tǒng) >> 過時/停產(chǎn)零件編號
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 類型
  • MCU
  • 適用于相關產(chǎn)品
  • Freescale MC68HC908LJ/LK(80-QFP ZIF 插口)
  • 所含物品
  • 面板、纜線、軟件、數(shù)據(jù)表和用戶手冊
  • 其它名稱
  • 520-1035
PH2544H 技術參數(shù)
  • PH2520U,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):78nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.7 毫歐 @ 25A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PH-230Q 功能描述:8 Ohm Mounted Speaker Speaker 15W 350Hz ~ 7kHz User Defined Round 制造商:mallory sonalert products inc. 系列:PH 零件狀態(tài):有效 類型:安裝式揚聲器 頻率范圍:350Hz ~ 7kHz 阻抗:8 歐姆 聲壓級:- 功率 - 額定值:15W 功率 - 最大值:15W 端口位置:用戶自定義 形狀:圓形 材料 - 錐體:- 材料 - 磁鐵:- 端接:導線引線 大小/尺寸:156.00mm 直徑 高度:132.10mm 標準包裝:1 PH20100S,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34.3A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):39nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2264pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PH1955L,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17.3 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1992pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標準包裝:1 PH18CNB20PAM1SA 功能描述:SENS PHOTO M18 PNP NO+NC 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:* 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 安裝類型:面板安裝 封裝/外殼:模塊 標準包裝:1 PH2600E PH-2600K-A1 PH-2600K-A6 PH2601E PH-2-60M PH-260Q PH-2610-A1 PH-2610-A6 PH-2610K-A1 PH-2610K-A6 PH262 PH2620C PH2621C PH2625C PH2625L,115 PH2650G PH2651G PH2655G
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