PH75A2803.3

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PH75A2803.3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
TDK-Lambda Americas Inc.
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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PH75A2803.3 技術(shù)參數(shù)

PH75A28028 功能描述:DC/DC CONVERTER 28V 2.7A PCB 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-A280 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:隔離模塊輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:200V 電壓 - 輸入（最大值）:425V 電壓 - 輸出 1:28V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:2.7A 功率（W） - 制造系列:75W 電壓 - 隔離:3kV（3000V）應(yīng)用:ITE（商業(yè)）特性:遠(yuǎn)程開/關(guān)，OCP，OVP 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP 模塊，1/4 磚大小/尺寸:2.30" 長 x 1.46" 寬 x 0.50" 高（58.3mm x 37.2mm x 12.7mm）工作溫度:-40°C ~ 85°C 效率:90% 功率（W） - 最大值:75W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH75A28015 功能描述:DC/DC CONVERTER 15V 5A PCB 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-A280 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:隔離模塊輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:200V 電壓 - 輸入（最大值）:425V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:5A 功率（W） - 制造系列:75W 電壓 - 隔離:3kV（3000V）應(yīng)用:ITE（商業(yè)）特性:遠(yuǎn)程開/關(guān)，OCP，OVP 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP 模塊，1/4 磚大小/尺寸:2.30" 長 x 1.46" 寬 x 0.50" 高（58.3mm x 37.2mm x 12.7mm）工作溫度:-40°C ~ 85°C 效率:90% 功率（W） - 最大值:75W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH7030L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:68A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.9 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1362pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH6530AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH6325L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:78.7A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH75F280-12 PH75F280-15 PH75F280-2 PH75F280-24 PH75F280-28 PH75F280-3 PH75F280-5 PH75F48-12 PH75F48-15 PH75F48-2 PH75F48-24 PH75F48-28 PH75F48-3 PH75F48-5 PH75S110-12 PH75S110-15 PH75S110-24 PH75S110-28