PMPB45EPAX

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMPB45EPAX
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：張國龍
電話：177226252410755-21008751
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
Nexperia
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

PMPB45EPAX
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖先生
電話：13612973190
地址：廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室
9000
Nexperia
-
22+
-
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

PMPB45EPAX
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
1899
NEXPERIA
NA
近兩年
-
查價格、訂購可到京北通宇商城www.jb...

PMPB45EPAX
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：王俊杰
電話：188185984650755-23763516
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
Nexperia
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： PMPB47XP,115 PMPB48EP,115 PMPB50ENEAX PMPB55ENEAX PMPB55XNEAX PMPB85ENEA/FX PMPB85ENEAX PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEAX

PMPB45EPAX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMPB45EPAX PDF下載

功能描述
MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級，AEC-Q101
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
P 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1260pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
15W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
43 毫歐 @ 6A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
6-DFN2020MD（2x2）
封裝/外殼
6-UDFN 裸露焊盤
標準包裝
1

PMPB45EPAX 技術(shù)參數(shù)

PMPB43XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:48 毫歐 @ 5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB40SNA,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12.9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 4.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:612pF @ 30V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）標準包裝:1 PMPB40ENAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:590pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB33XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1575pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB33XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.3A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:505pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:47 毫歐 @ 4.3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMP-BUCKET PMPF-1P PMPF-1PF PMR01ZZPJ000 PMR01ZZPJU10L PMR03EZPFU10L0 PMR03EZPJ000 PMR03EZPJU10L PMR100HZPFU10L0 PMR100HZPFU5L00 PMR100HZPFU6L00 PMR100HZPFU7L00 PMR100HZPFU8L00 PMR100HZPFU9L00 PMR100HZPFV1L00 PMR100HZPFV1L50 PMR100HZPFV2L00 PMR100HZPFV3L00