PMWD15UN,518

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PMWD15UN,518
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
NXP
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

PMWD15UN,518
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
8-TSSOP
18+
-
MOSFET 2N-CH 20V 11....

PMWD15UN,518
深圳市新良宇電子有限公司
深圳市新良宇電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8323763213302457603
地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室
56912
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH D
23+
-
原裝現(xiàn)貨歡迎來電查詢！

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功能描述
MOSFET PMWD15UN/TSSOP8/REEL13DP//
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PMWD15UN,518 技術(shù)參數(shù)

PMV90ENER 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV90EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:132pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV75UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV65XPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 2.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV65XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 2.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB360ENEA PMXB360ENEAZ PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3