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PSMN013-80YS,115

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  • PSMN013-80YS,115
    PSMN013-80YS,115

    PSMN013-80YS,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • NXP

  • SOT-669

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  • PSMN013-80YS,115
    PSMN013-80YS,115

    PSMN013-80YS,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

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  • 16+/17+

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  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN013-80YS,115
    PSMN013-80YS,115

    PSMN013-80YS,115

  • 深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
    深圳市深科創(chuàng)科技有限公司

    聯(lián)系人:吳先生/吳小姐/朱先生

    電話:0755-832472900755-828652018324751083223957

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  • 7500

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

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  • PSMN013-80YS,115
    PSMN013-80YS,115

    PSMN013-80YS,115

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • PSMN013-80YS,115
    PSMN013-80YS,115

    PSMN013-80YS,115

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 1500

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  • 1
PSMN013-80YS,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V 12.9 mOhm Standard MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN013-80YS,115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN013-60YLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):53A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):33.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2603pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):95W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN013-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):32A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):521pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):26W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13.6 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN013-30MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):39A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):519pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):38W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13.6 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN013-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):768pF @ 15V 功率 - 最大值:41W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN3333(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN013-100YSEX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):82A(Tj) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3775pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN016-100BS,118 PSMN016-100PS,127 PSMN016-100XS,127 PSMN016-100YS,115 PSMN017-30BL,118 PSMN017-30EL,127 PSMN017-30LL,115 PSMN017-30PL,127 PSMN017-60YS,115 PSMN017-80BS,118 PSMN017-80PS,127 PSMN018-100ESFQ PSMN018-100PSFQ PSMN018-80YS,115 PSMN019-100YLX PSMN020-100YS,115 PSMN020-150W,127 PSMN020-30MLCX
配單專(zhuān)家

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