PSMN4R5-30YLC,115

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PSMN4R5-30YLC,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，電源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 30V 84A ...

PSMN4R5-30YLC,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PSMN4R5-30YLC,115
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
1500
NEXPERIA
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

1/1頁 40條/頁共12條
1

您是不是要找： PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R6-100XS,127 PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60PS,127 PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100PSEQ PSMN5R0-100ES,127 PSMN5R0-100PS,127

PSMN4R5-30YLC,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

PSMN4R5-30YLC,115 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 30 V 4.8 mOhms LOGIC LEVEL MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PSMN4R5-30YLC,115 技術(shù)參數(shù)

PSMN4R4-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:125nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8400pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN4R4-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:125nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8400pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN4R4-30MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1515pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:69W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.65 歐姆 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN4R3-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:111nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8161pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN4R3-80ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:111nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8161pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN5R0-100XS,127 PSMN5R0-30YL,115 PSMN5R0-80BS,118 PSMN5R0-80PS,127 PSMN5R2-60YLX PSMN5R3-25MLDX PSMN5R4-25YLDX PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R6-100BS,118 PSMN5R6-100PS,127 PSMN5R6-100XS,127 PSMN5R6-100YSFQ PSMN5R6-100YSFX PSMN5R6-60YLX PSMN5R8-30LL,115 PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R9-30YL,115 PSMN6R0-25YLB,115