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PSMN8R5-100PSFQ

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  • PSMN8R5-100PSFQ
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    PSMN8R5-100PSFQ

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT78

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • PSMN8R5-100PSFQ
    PSMN8R5-100PSFQ

    PSMN8R5-100PSFQ

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5258

  • Nexperia

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授權分銷商,可追溯原廠可含稅

  • PSMN8R5-100PSFQ
    PSMN8R5-100PSFQ

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  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17841084408

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 38000

  • Nexpe原裝正品

  • SOT78

  • 19+

  • -
  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

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PSMN8R5-100PSFQ 技術參數(shù)
  • PSMN8R5-100ESQ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tj) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):111nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5512pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):263W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 標準包裝:50 PSMN8R3-40YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1215pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.6 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN8R2-80YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):82A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3640pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):130W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN8R0-40PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):77A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1262pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):86W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN8R0-40BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):77A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1262pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):86W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN9R0-25YLC,115 PSMN9R0-30LL,115 PSMN9R0-30YL,115 PSMN9R1-30YL,115 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127 PSMN9R5-100XS,127 PSMN9R5-30YLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 PSMNR90-30BL,118 PSM-N-Y PSM-O-Y PS-MP PSMP-FSBA-1000 PSMP-FSBA-1042 PSMP-FSBA-1175 PSMP-FSBA-1755 PSMP-FSBA-1970
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