SI4176DY-T1-E3

配單專家企業(yè)名單

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說明
操作

SI4176DY-T1-E3
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
170350
VISHAY
SOP-8
10+
-
全新原裝現(xiàn)貨

SI4176DY-T1-E3
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
3689
VISHAY
SOP-8
2212+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 12A SO8
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
TrenchFET®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

SI4176DY-T1-E3 技術參數(shù)

SI4136M-EVB 功能描述:BOARD EVALUATION FOR SI4136 制造商:silicon labs 系列:- 零件狀態(tài):有效類型:合成器頻率:- 配套使用產品/相關產品:SI4136 所含物品:板標準包裝:1 SI4136-F-GTR 功能描述:射頻無線雜項 WLAN Satellite Radio Synthesizer RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4136-F-GT 功能描述:射頻無線雜項 WLAN SATELITE RADIO TSSOP-24 RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4136-F-GMR 功能描述:時鐘發(fā)生器及支持產品 WLAN Satellite Radio Synthesizer RoHS:否制造商:Silicon Labs 類型:Clock Generators 最大輸入頻率:14.318 MHz 最大輸出頻率:166 MHz 輸出端數(shù)量:16 占空比 - 最大:55 % 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-56 SI4136-F-GM 功能描述:射頻無線雜項 WLAN SATELITE RADIO MLP-28 RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4200DY-T1-GE3 SI4200-EVB SI4200-GM SI4201-BM SI4201-GM SI4202DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 SI4205-BM SI4205-EVB+F19 SI4206-BM SI4206-EVB SI4210-A-IF-EVB SI4210-D-GM SI4210DY-T1-GE3 SI4210-E-KT-EVB SI4210-E-RF-EVB SI4210-EVB SI4210-G-KT-EVB