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SI5519DU-T1-GE3

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  • SI5519DU-T1-GE3
    SI5519DU-T1-GE3

    SI5519DU-T1-GE3

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：0755-83617149

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 36000

  • VISHAY

  • owerPAK/ChipFET

  • 15+

  • -

  • 進口原裝!現(xiàn)貨供應(yīng),可開增值稅發(fā)票

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
SI5519DU-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-Ch ChipFET 20V 36/64mohm @ 4.5V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
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