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SIR814DP-T1-GE3

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  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFETS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 40.6A 8SO
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • MOSFET N CH DIO 40V 60A PPK SO8
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, DIO, 40V, 60A, PPK SO8
  • 制造商
  • Vishay Intertechnologies
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, DIO, 40V, 60A, PPK SO8, Transistor Polarity
  • 制造商
  • Vishay Intertechnologies
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
SIR814DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向(If):65mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):0.5mW/sr @ 20mA 波長(zhǎng):875nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:120° 朝向:通用 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):18mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):850nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-RE3 SIR846DP-T1-GE3 SIR850DP-T1-GE3 SIR862DP-T1-GE3 SIR864DP-T1-GE3 SIR866DP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-RE3 SIR870DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-RE3 SIR872DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 SIR874DP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 SIR876DP-T1-GE3
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