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STB1060TR

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  • STB1060TR
    STB1060TR

    STB1060TR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

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  • 1
STB1060TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
  • 制造商
  • smc diode solutions
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 二極管類型
  • 肖特基
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 60V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • -
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 650mV @ 10A
  • 速度
  • 快速恢復 = 200mA(Io)
  • 反向恢復時間(trr)
  • -
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 850μA @ 60V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容
  • -
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝
  • D2PAK
  • 工作溫度 - 結
  • -55°C ~ 150°C
  • 標準包裝
  • 1
STB1060TR 技術參數(shù)
  • STB10150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 STB10100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:462pF @ 5V, 1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 STB10100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB100NF04T4 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB100NF03L-03T4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):88nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6200pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB11NK50ZT4 STB11NM60-1 STB11NM60FDT4 STB11NM60N-1 STB11NM60T4 STB11NM80T4 STB120N10F4 STB120N4F6 STB120N4LF6 STB120NF10T4 STB12100TR STB12-2-2 STB12-7-7 STB12NK80ZT4 STB12NM50FDT4 STB12NM50N STB12NM50ND STB12NM50T4
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