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STB37N60DM2AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STB37N60DM2AG
    STB37N60DM2AG

    STB37N60DM2AG

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 8368

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -
  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • STB37N60DM2AG
    STB37N60DM2AG

    STB37N60DM2AG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STB37N60DM2AG
    STB37N60DM2AG

    STB37N60DM2AG

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:王女士

    電話:13969210552

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4500

  • STMICROELECTRONICS

  • NA

  • 近兩年

  • -
  • 查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

  • STB37N60DM2AG
    STB37N60DM2AG

    STB37N60DM2AG

  • 深圳市暢洲科技有限公司
    深圳市暢洲科技有限公司

    聯(lián)系人:吳小姐

    電話:852906044930755-82762262

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3018號都會軒2506

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ST(意法)

  • D2PAK

  • 22+

  • -
  • 全新原裝正品

  • STB37N60DM2AG
    STB37N60DM2AG

    STB37N60DM2AG

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • STMicroelectronics

  • MOSFET N-CH 600V 28A

  • 22+

  • -
  • STB37N60DM2AG
    STB37N60DM2AG

    STB37N60DM2AG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 569888

  • ST意法

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨,支持BOM配單!

  • STB37N60DM2AG
    STB37N60DM2AG

    STB37N60DM2AG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STB37N60DM2AG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 28A
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101,MDmesh?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 28A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 110 毫歐 @ 14A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 54nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 2400pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 210W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D2PAK
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STB37N60DM2AG 技術(shù)參數(shù)
  • STB36NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB36NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):83.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2722pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB36NF06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):660pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB35NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:115W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB35N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):98 毫歐 @ 13.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):83nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3750pF @ 100V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB40NF10T4 STB40NF20 STB40NS15T4 STB42N60M2-EP STB42N65M5 STB43N60DM2 STB43N65M5 STB45N40DM2AG STB45N50DM2AG STB45N60DM2AG STB45N65M5 STB45NF06 STB45NF06T4 STB46N30M5 STB46NF30 STB4N62K3 STB4NK60Z-1 STB4NK60ZT4
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