STDV5804NT4G

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STDV5804NT4G 技術參數(shù)

STDS75M2F 功能描述:SENSOR TEMPERATURE I2C/SMBUS 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期傳感器類型:數(shù)字，本地檢測溫度 - 本地:-55°C ~ 125°C 檢測溫度 - 遠程:- 輸出類型:I2C/SMBus 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 分辨率:11 b 特性:輸出開關，可編程極限，可編程分辨率，關斷模式，待機模式精度 - 最高（最低）:±2°C（±3°C）測試條件:-25°C ~ 100°C（-55°C ~ 125°C）工作溫度:-55°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STDS75DS2F 功能描述:SENSOR TEMP I2C/SMBUS 8MSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效傳感器類型:數(shù)字，本地檢測溫度 - 本地:-55°C ~ 125°C 檢測溫度 - 遠程:- 輸出類型:I2C/SMBus 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 分辨率:11 b 特性:輸出開關，可編程極限，可編程分辨率，關斷模式，待機模式精度 - 最高（最低）:±2°C（±3°C）測試條件:-25°C ~ 100°C（-55°C ~ 125°C）工作溫度:-55°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:1 STDLED656 功能描述:MOSFET N-CH 650V 6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:895pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STDLED625H 功能描述:MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STDC-105 功能描述:TIP REPL DESOLDER ID=.05" 700SER 制造商:oki/metcal 系列:STDC 700 零件狀態(tài):停產(chǎn) 尖頭 - 類型:脫焊尖頭 - 尺寸:0.050" 內(nèi)徑 x 0.080" 外徑（1.27mm x 2.03mm）尖頭 - 形狀:尖嘴盒溫度范圍:- 配套使用產(chǎn)品/相關產(chǎn)品:MX-DS1 標準包裝:1 STE1000-60T4MI STE100S STE100STR STE-1042609RFRC STE110-50T1KI STE110NS20FD STE115A10-Z STE115A12-Z STE115D10-Z STE-1188751RFSP STE-1188987RFSP STE-1189618RFRX STE-1189974RFIS STE-1189975RFIS STE-1189976RFIS STE-1190527RF95 STE-1190528RF95 STE-1190530RF95