STG03711378PCN

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說明
操作

STG03711378PCN
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
TE Connectivity Aerospace
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
百分百原裝正品，假一罰十

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功能描述
集管和線殼 STG03711378PCN SMT CONN
RoHS
否
產(chǎn)品種類
1.0MM Rectangular Connectors
產(chǎn)品類型
Headers - Pin Strip
系列
DF50
觸點類型
Pin (Male)
節(jié)距
1 mm
位置/觸點數(shù)量
16
排數(shù)
1
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
安裝角
Right
端接類型
Solder
外殼材料
Liquid Crystal Polymer (LCP)
觸點材料
Brass
觸點電鍍
Gold
制造商
Hirose Connector

STG03711378PCN 技術(shù)參數(shù)

STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:139nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STG037SC2DC036N STG037SC2DNC70N STG037SC2DX008 STG051B5N STG051L2AQ STG051L5HN STG051M6HN STG051T2 STG051T2AQ STG065L2HN STG065L2KN STG065M6SN STG065PC2DC036 STG065PC2DC036N STG065PC2DX036N STG065SC2DC036 STG065T2HN STG3155DTR