STGD1100LT1G

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封裝
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說明
操作

STGD1100LT1G
深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
聯(lián)系人：曾小姐
電話：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
21000
onsemi
6-TSOP
2023+
-
原裝正品現(xiàn)貨，假1罰100

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM - Tape and Reel
制造商
ON Semiconductor
功能描述
MOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
制造商
ON Semiconductor
功能描述
REEL / NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM

STGD1100LT1G 技術(shù)參數(shù)

STGD10NC60ST4 功能描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:18A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):25A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.65V @ 15V，5A 功率 - 最大值:60W 開關(guān)能量:60μJ（開），340μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:18nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:19ns/160ns 測試條件:390V，5A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD10NC60SDT4 功能描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:18A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):25A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.65V @ 15V，5A 功率 - 最大值:60W 開關(guān)能量:60μJ（開），340μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:18nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:19ns/160ns 測試條件:390V，5A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD10NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 20A 62W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:62W 開關(guān)能量:55μJ（開），85μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:19nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:17ns/72ns 測試條件:390V，5A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD10NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 20A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:60W 開關(guān)能量:31.8μJ（開），95μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:19.2nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:14.2ns/72ns 測試條件:390V，5A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD10NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 20A 62W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:62W 開關(guān)能量:31.8μJ（開），95μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:19.2nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:14.2ns/72ns 測試條件:390V，5A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD3NB60HDT4 STGD3NB60SD-1 STGD3NB60SDT4 STGD3NC120H-1 STGD4M65DF2 STGD5H60DF STGD5NB120SZ-1 STGD5NB120SZT4 STGD6M65DF2 STGD6NC60H-1 STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HT4 STGD7NB120S-1 STGD7NB120ST4 STGD7NB60KT4 STGD7NB60ST4 STGD7NC60HT4 STGD8NC60KDT4