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STI25NM60ND

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STI25NM60ND
    STI25NM60ND

    STI25NM60ND

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • TO 220 MONOC. .

  • ST

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • STI25NM60ND
    STI25NM60ND

    STI25NM60ND

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3526

  • ST

  • I2PAK

  • 14+

  • -

  • 原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

  • STI25NM60ND
    STI25NM60ND

    STI25NM60ND

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • TO220MONOC.

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • STI25NM60ND
    STI25NM60ND

    STI25NM60ND

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
STI25NM60ND PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STI25NM60ND 技術參數
  • STI24NM60N 功能描述:MOSFET N CH 600V 17A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI22NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1330pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI21N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:179 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1950pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI20N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1434pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI33N65M2 STI34N65M5 STI35N65M5 STI360N4F6 STI400N4F6 STI40N65M2 STI42N65M5 STI45N10F7 STI4N62K3 STI55NF03L STI57N65M5 STI5N52U STI6N62K3 STI6N80K5 STI6N90K5 STI76NF75 STI8N65M5 STI90N4F3
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