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STL15N60M2-EP

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STL15N60M2-EP
    STL15N60M2-EP

    STL15N60M2-EP

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STL15N60M2-EP
    STL15N60M2-EP

    STL15N60M2-EP

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2000

  • STMICROEL

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STL15N60M2-EP
    STL15N60M2-EP

    STL15N60M2-EP

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • STL15N60M2-EP
    STL15N60M2-EP

    STL15N60M2-EP

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6006

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • PowerFLAT-5x6-8

  • 21+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
STL15N60M2-EP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? M2
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 7A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 418 毫歐 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 17nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 590pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 55W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PowerFlat?(5x6)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STL15N60M2-EP 技術(shù)參數(shù)
  • STL15N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.4 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1500pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL15DN4F5 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL150N3LLH6 功能描述:MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 16.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4040pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(6x5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL150N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.75 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5800pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(6x5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL140N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):145A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2700pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL16N65M5 STL-1-750-3-01 STL-1-750-8-01 STL17N3LLH6 STL17N65M5 STL18N55M5 STL18N60M2 STL18N65M2 STL18N65M5 STL18NM60N STL190N4F7AG STL19N60DM2 STL19N60M2 STL19N65M5 STL200N45LF7 STL20DN10F7 STL20DNF06LAG STL20N6F7
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