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STL7N6F7

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STL7N6F7
    STL7N6F7

    STL7N6F7

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：135-3814-2003

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5334

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -

  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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  • 功能描述
  • N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • STripFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類(lèi)型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 7A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 25 毫歐 @ 3.5A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 8nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 450pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-PowerWDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PowerFlat?（2x2）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STL7N6F7 技術(shù)參數(shù)
  • STL7N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:271pF @ 100V 功率 - 最大值:67W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFLAT?（5x5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL7N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:920pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL7LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.15 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL7DN6LF3 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:432pF @ 25V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL75NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（6x5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 STL-8-250-3-01 STL-8-250-8-01 STL-8-350-12-01 STL-8-350-16-01 STL-8-350-20-01 STL-8-350-3-01 STL-8-350-8-01 STL-8-450-12-01 STL-8-450-16-01 STL-8-450-20-01 STL-8-450-2-01 STL-8-450-8-01 STL85N6F3 STL-8-600-12-01 STL-8-600-16-01 STL-8-600-20-01 STL-8-600-3-01 STL-8-600-8-01
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