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STP6X3GR

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  • STP6X3GR-Q
    STP6X3GR-Q

    STP6X3GR-Q

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:王女士

    電話:13969210552

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4500

  • PANDUIT

  • NA

  • 近兩年

  • -
  • 查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

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STP6X3GR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
  • Cable Assembly STP 0.91m 26AWG Modular Plug to Modular Plug PL-PL
  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
  • CA STP 0.91M 26AWG MOD PLG TO MOD PLG PLG-PLG - Bulk
STP6X3GR 技術(shù)參數(shù)
  • STP6X2MIG 功能描述:CATEGORY 6A, 10 GB/S S/FTP PATCH 制造商:panduit corp 系列:TX6A? 10Gig? 零件狀態(tài):在售 電纜類型:圓形線纜 連接器類型:插頭至插頭 安裝類型:自由懸掛 針腳/觸頭數(shù):8p8c(RJ45,以太網(wǎng)) 長(zhǎng)度:6.56'(2.00m) 屏蔽:屏蔽 顏色:灰色 特性:彈簧鎖,模制插頭 樣式:Cat6a 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STP6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):920 毫歐 @ 2.3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):420pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STP6NK90ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2.9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP6NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2.9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP6NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):905pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP6X3MVL STP6X3MYL STP6X3OR STP6X3OR-Q STP6X3RD STP6X3RD-Q STP6X3VL STP6X3VL-Q STP6X3YL STP6X3YL-Q STP6X40BL STP6X40BU STP6X40GR STP6X40IG STP6X40MBL STP6X40MBU STP6X40MGR STP6X40MIG
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