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STU6N90K5

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STU6N90K5
    STU6N90K5

    STU6N90K5

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 62188

  • STMicroelectronics

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

  • STU6N90K5
    STU6N90K5

    STU6N90K5

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6007

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-251-3

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
STU6N90K5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? K5
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 6A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 100μA
  • Vgs（最大值）
  • ±30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 110W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 1.1 歐姆 @ 3A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • IPAK（TO-251）
  • 封裝/外殼
  • TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 75
STU6N90K5 技術(shù)參數(shù)
  • STU6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU6N65K3 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:880pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU6N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 2.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:875pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:232pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU65N3LLH5 功能描述:MOSFET N CH 30V 65A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:65A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.3 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1290pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU7N80K5 STU7NF25 STU7NM60N STU80N4F6 STU85N3LH5 STU8N65M5 STU8N80K5 STU8NM50N STU8NM60ND STU90N4F3 STU95N2LH5 STU95N3LLH6 STU95N4F3 STU9HN65M2 STU9N60M2 STU9N65M2 STUDIO-30630-EVB STUDIO-30670-EVB
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