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STW38N65M5-4

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  • STW38N65M5-4
    STW38N65M5-4

    STW38N65M5-4

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • ST

  • TO-247-4

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • STW38N65M5-4
    STW38N65M5-4

    STW38N65M5-4

  • 深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
    深圳市深科創(chuàng)科技有限公司

    聯(lián)系人：吳先生/吳小姐/朱先生

    電話：0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址：深圳市福田區(qū)航都大廈17F1可提供13%增值稅發(fā)票

  • 7500

  • ST

  • TO-247-4

  • 2020+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨 渠道優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 假一罰十

  • STW38N65M5-4
    STW38N65M5-4

    STW38N65M5-4

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • STW38N65M5-4
    STW38N65M5-4

    STW38N65M5-4

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6004

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-247-4

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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STW38N65M5-4 技術(shù)參數(shù)
  • STW38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW37N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW36NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:29A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2785pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW36NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:29A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:83.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2722pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW36N60M6 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M6 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.75V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:44.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1960pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:208W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW40N95DK5 STW40N95K5 STW40NF20 STW4102IQT STW42N60M2-EP STW42N65M5 STW43N60DM2 STW43NM50N STW43NM60N STW43NM60ND STW45N60DM2AG STW45N65M5 STW45NM50 STW45NM50FD STW45NM60 STW46NF30 STW47NM60ND STW48N60DM2
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