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STG3157CTR

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
STG3157CTR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 模擬開(kāi)關(guān) IC Low Volt/Low-On SPDT
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 開(kāi)關(guān)數(shù)量
  • 2
  • 開(kāi)關(guān)配置
  • SPDT
  • 開(kāi)啟電阻(最大值)
  • 0.1 Ohms
  • 切換電壓(最大)
  • 開(kāi)啟時(shí)間(最大值)
  • 關(guān)閉時(shí)間(最大值)
  • 工作電源電壓
  • 2.7 V to 4.5 V
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DSBGA-16
STG3157CTR 技術(shù)參數(shù)
  • STG3155DTR 功能描述:開(kāi)關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 Lo Vltg 0.5 Ohm Max Sngl SPDT switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出電壓:1.2 V to 10 V 輸出電流:300 mA 輸出功率: 輸入電壓:3 V to 17 V 開(kāi)關(guān)頻率:1 MHz 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WSON-8 封裝:Reel STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.4 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 29A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):143nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):59 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):139nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STG3684QTR STG3689DTR STG3690QTR STG3692QTR STG3693QTR STG3696EQTR STG3699ADWF STG3699AQTR STG3699AUTR STG3699BVTR STG3699QTR STG3820BJR STG3856QTR STG3P2M10N60B STG4158BJR STG4159BJR STG4160BJR STG4210QTR
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