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STP85NF55L

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
STP85NF55L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STP85NF55L 技術(shù)參數(shù)
  • STP85NF55 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP85N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.4 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP80PF55 功能描述:MOSFET P-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):258nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP80NF70 功能描述:MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):68V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):98A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9.8 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2550pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP80NF55L-06 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):136nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP8NM50N STP8NM60 STP8NM60D STP8NM60FP STP8NM60N STP8NM60ND STP8NS25 STP8NS25FP STP90N4F3 STP90N55F4 STP90N6F6 STP90NF03L STP95N04 STP95N2LH5 STP95N3LLH6 STP95N4F3 STP9N60M2 STP9N65M2
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