STU7NM60N

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封裝
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功能描述
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STU7NM60N 技術(shù)參數(shù)

STU7NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:500pF @ 25V 功率 - 最大值:72W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU7N80K5 功能描述:MOSFET N CH 800V 6A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:360pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU7N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.15 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251）標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU7N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:271pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU7N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:380pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251）標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU95N4F3 STU9HN65M2 STU9N60M2 STU9N65M2 STUDIO-30630-EVB STUDIO-30670-EVB STULED524 STULED623 STULED625 STULED656 STULPI01ATBR STULPI01BTBR STUPSD-SK/RAIS STUSA-170 STUSB02EQR STUSB03EDEMOBO STUSB03EQR STUSB06EHTR