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VLF252010MT-6R8M-CA

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • VLF252010MT-6R8M-CA
    VLF252010MT-6R8M-CA

    VLF252010MT-6R8M-CA

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
VLF252010MT-6R8M-CA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 6.8μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 360 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • VLF-M-CA
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 6.8μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 850mA
  • 電流 - 飽和值
  • 530mA
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 360 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 105°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 1008(2520 公制)
  • 大小/尺寸
  • 0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.039"(1.00mm)
  • 標準包裝
  • 1
VLF252010MT-6R8M-CA 技術(shù)參數(shù)
  • VLF252010MT-6R8M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 360 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:470mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):360 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252010MT-4R7M-CA 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 950mA 300 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:950mA 電流 - 飽和值:640mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252010MT-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 950mA 300 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:950mA 電流 - 飽和值:570mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252010MT-3R3M-CA 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.15A 190 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):190 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252010MT-3R3M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.15A 190 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:680mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):190 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252012MT-1R0N-CA VLF252012MT-1R5N VLF252012MT-1R5N-CA VLF252012MT-220M VLF252012MT-220M-CA VLF252012MT-2R2M VLF252012MT-2R2M-CA VLF252012MT-3R3M VLF252012MT-3R3M-CA VLF252012MT-4R7M VLF252012MT-4R7M-CA VLF252012MT-6R8M VLF252012MT-6R8M-CA VLF252012MT-R47N VLF252012MT-R47N-CA VLF252012MT-R68N VLF252012MT-R68N-CA VLF252015MT-100M
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