您好,歡迎來(lái)到買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
您現(xiàn)在的位置:買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > 1字母型號(hào)搜索 > 1字母第5251頁(yè) >

1N5260BDO35E3

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
1N5260BDO35E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 43V 500MW DO-35
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng))(Vz)
  • 36V
  • 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大)
  • 900mV @ 10mA
  • 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電
  • 100nA @ 27V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大
  • 200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)
  • 70 歐姆
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-323
  • 包裝
  • 剪切帶 (CT)
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 150°C
  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面
  • 1585 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱(chēng)
  • MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
1N5260BDO35E3 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5260BDO35 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5260B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5260B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5260B TR 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5260B BK 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N5260TA 1N5261A 1N5261A (DO-35) 1N5261A(DO-35) 1N5261B 1N5261B (DO-35) 1N5261B A0G 1N5261B BK 1N5261B TR 1N5261B_T50A 1N5261B_T50R 1N5261B-T 1N5261BTA 1N5261B-TAP 1N5261B-TP 1N5261B-TR 1N5261BUR-1 1N5261C-TAP
配單專(zhuān)家
1N5260BDO35E3相關(guān)熱門(mén)型號(hào)

在采購(gòu)1N5260BDO35E3進(jìn)貨過(guò)程中,您使用搜索有什么問(wèn)題和建議?點(diǎn)此反饋

友情提醒:為規(guī)避購(gòu)買(mǎi)1N5260BDO35E3產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn),建議您在購(gòu)買(mǎi)1N5260BDO35E3相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的1N5260BDO35E3信息由會(huì)員自行提供,1N5260BDO35E3內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) (massivemove.com) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號(hào) | 粵ICP備14064281號(hào)