1N5261BTA

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功能描述
DIODE ZENER 47V 500MW DO35
制造商
smc diode solutions
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
47V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
105 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100nA @ 34V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作溫度
200°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
5,000

1N5261BTA 技術參數(shù)

1N5261B-T 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5261B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5261B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5261B TR 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5261B BK 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5262B 1N5262B (DO-35) 1N5262B A0G 1N5262B BK 1N5262B TR 1N5262B_T50A 1N5262B_T50R 1N5262BDO35 1N5262B-T 1N5262B-T50A 1N5262BTA 1N5262B-TAP 1N5262B-TP 1N5262B-TR 1N5262BUR-1 1N5262C-TAP 1N5262C-TR 1N5262TA